Простийпошук |
Розширенийпошук |
Покажчики
|
Професійний пошук |
Рубрикатор НБУВ |
Розподілений пошук |
Бази даних
Наукова періодика України - результати пошуку
Книжкові видання та компакт-дискиЖурнали та продовжувані виданняАвтореферати дисертаційРеферативна база данихНаукова періодика УкраїниТематичний навігаторАвторитетний файл імен осіб
 |
Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер "Mozilla Firefox" |
|
|
Повнотекстовий пошук
| Знайдено в інших БД: | Книжкові видання та компакт-диски (1) | Реферативна база даних (7) |
Список видань за алфавітом назв: Авторський покажчик Покажчик назв публікацій  |
Пошуковий запит: (<.>A=Кудрик Р$<.>) | |||
|
Загальна кількість знайдених документів : 4 Представлено документи з 1 до 4 |
|||
| 1. | 
Кудрик Я. Я. Методы определения высоты барьера шоттки из вольт-амперных характеристик (обзор) [Електронний ресурс] / Я. Я. Кудрик, В. В. Шинкаренко, В. С. Слепокуров, Р. И. Бигун, Р. Я. Кудрик // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника. - 2014. - Вып. 49. - С. 21-30. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/ont_2014_49_4 Приведен обзор методов определения высоты барьера Шоттки из результатов измерений вольт-амперных характеристик (ВАХ) применительно к широкозонным полупроводникам. Проведена апробация этих методов на примере диодов Шоттки Au - TiB | ||
| 2. | 
Кудрик Я. Я. Технология изготовления контактов к карбиду кремния [Електронний ресурс] / Я. Я. Кудрик, Р. И. Бигун, Р. Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2013. - № 1. - С. 25-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2013_1_6 Систематизированы имеющиеся в различных публикациях результаты исследований удельного сопротивления омических контактов к карбиду кремния, изготовленных без какой-либо модификации поверхности полупроводника. Проведен анализ группы контактов с наилучшими параметрами, и на основе его результатов даны рекомендации по оптимальным контактообразующим слоям для p- и n-типов SiC политипов 4H, 6H, 3C, 15R, 21R.Систематизовано наявні в різних публікаціях результати досліджень питомого опору омічних контактів до карбіду кремнію, виготовлених без будь-якої модифікації поверхні напівпровідника. Проведено аналіз групи контактів з найкращими параметрами, і на основі його результатів розроблено рекомендації щодо оптимальних контактотвірних шарів для p- та n-типів SiC політіпів 4H, 6H, 3C, 15R, 21R.The authors classified the results of investigations of resistivity of ohmic contacts to silicon carbide made without any semiconductor surface modification. A set of contacts with better parameters were analysed. From the results of this analysis, some recommendations were made concerning optimal contact-forming layers for p- and n-SiC types of 4H, 6H, 3C, 15R, 21R polytypes. | ||
| 3. |
Басанец В. В. Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов [Електронний ресурс] / В. В. Басанец, В. С. Слепокуров, В. В. Шинкаренко, Р. Я. Кудрик, Я. Я. Кудрик // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2015. - № 1. - С. 33-37. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2015_1_6 Исследовано удельное сопротивление омического контакта Au - Ti - Pd - n-Si и механизм токопереноса в интервале температур 100 - 360 К. Предложен способ уменьшения погрешности определения удельного контактного сопротивления на основе анализа статистических зависимостей измеренных величин. Измеренные значения удельного контактного сопротивления лежат в диапазоне (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. При использовании температурной зависимости удельного контактного сопротивления установлено, что в омическом контакте с высотой барьера 0,22 эВ в температурном диапазоне 100 - 200 К преобладает полевой механизм токопереноса, а в диапазоне 200 - 360 К - термополевой с энергией активации примерно 0,08 эВ.Досліджено питомий опір омічного контакту Au - Ti - Pd - n-Si та механізм струмопротікання в інтервалі температур 100 - 360 К. Запропоновано спосіб зменшення похибки визначення питомого контактного опору на основі аналізу статистичних залежностей виміряних величин. Виміряні значення питомого контактного опору знаходяться в діапазоні (0,9 - 2)•10{\up\fs8 –5} Ом•см{\up\fs8 2}. На основі температурної залежності питомого контактного опору встановлено, що в омічному контакті з висотою бар'єра 0,22 еВ у температурному діапазоні 100 - 200 К переважає польовий механізм струмопротікання, а в діапазоні 200 - 360 К - термопольовий з енергією активації 0,08 еВ.Both contact resistivity of Au - Ti - Pd - n-Si ohmic contact and mechanism of current flow are studied in the 100 - 360 K temperature range. A method is proposed for reduction of error in determination of contact resistivity based on analysis of statistical dependences of the measured contact resistivity values (which are in the range of (0.9 -2)•10{\up\fs8 –5} Ω•cm{\up\fs8 2}). On the basis of the contact resistivity temperature dependence, it is found for an ohmic contact with barrier height of 0.22 eV that the field mechanism of current flow is predominant in the 100 - 200 K temperature range, while thermal-field emission with activation energy of 0.08 eV is predominant in the 200 - 360 K temperature range. | ||
| 4. | 
Кудрик Р. Я. Контакти з бар’єром Шотткі Au–TiBx–n-GaN [Електронний ресурс] / Р. Я. Кудрик // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. - 2015. - Т. 13, Вип. 3. - С. 449-457. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Nano_2015_13_3_7 | ||
Попередній перегляд: 
Реферативна БД
 |
| Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів |
 Пам`ятка користувача |